| 維安中低壓12V-100V P溝槽通道功率MOS WM02P160R |
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價(jià)格： 元(人民幣) | 產(chǎn)地：本地 |
| 最少起訂量：1片 | 發(fā)貨地：本地至全國(guó) | |
| 上架時(shí)間：2021-04-02 09:54:16 | 瀏覽量：120 | |
深圳市粵吉電子有限公司
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| 經(jīng)營(yíng)模式：代理商 | 公司類型：私營(yíng)獨(dú)資企業(yè) | |
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粵吉代理維安中低壓12V-100V P溝槽通道功率MOS WM02P160R DFN2*2-6L VDS耐壓：-20 ID 電流：-16 維安提供各類功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，包括500V/ 600V/ 650V/ 700V/ 800V/ 900V/ 950V/ 1050V/ 1200V高壓超級(jí)結(jié)MOSFET（SJ-MOS）系列產(chǎn)品、 600V/ 650V/ 700V高壓VDMOS（HV-VDMOS）系列產(chǎn)品、低壓功率MOSFET （LV-MOS）系列產(chǎn)品、肖特基二極管（Schottky Diode）等。維安功率半導(dǎo)體 采用先進(jìn)的超結(jié)工藝技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，相比傳統(tǒng)的高壓VDMOS，維安系列產(chǎn)品具有極低的特征導(dǎo)通電阻及柵極電荷，可以顯著改善電源系統(tǒng) 效率，降低溫度。相比傳統(tǒng)VDMOS，500V-1200V WMOSTM系列產(chǎn)品具有更好的性價(jià)比，并且重點(diǎn)改善了傳統(tǒng)SJ-MOS存在的浪涌及EMI性能不佳的問題。應(yīng)對(duì)電源系統(tǒng)小型化及超薄化趨勢(shì)，開發(fā)了SOT-223-2L，TO-220 ISO，TO-220F SL，TO-262N，PDFN 8x8，PDFN5x6等先進(jìn)的封裝技術(shù)。
WM01P75R DFN2*2-6L VDS耐壓：-12 ID 電流：-7.5Vgs WM02P160R DFN2*2-6L VDS耐壓：-20 ID 電流：-16 WMQ55P02T1 PDFN3*3-8L VDS耐-20ID 電流：-55 WMS15P02T1 SOP-8L VDS耐壓：-20 ID 電流：-15 WMQ55P03T1 PDFN3*3-8L VDS耐壓：-30 ID 電流：-55 Vgs內(nèi)阻：8.5 WMB60P03T1 PDFN5*6-8L VDS耐壓：-30 ID 電流：-60 Vgs內(nèi)阻：8.8 WMS16P03T1 SOP-8L VDS耐壓：-30 ID 電流：-16 Vgs內(nèi)阻：8.8 WMQ50P03T1 PDFN3*3-8L VDS耐壓：-30 ID 電流：-50 Vgs內(nèi)阻：9 WMS14P03T1 SOP-8L VDS耐壓：-30 ID 電流：-14 Vgs內(nèi)阻：9.2 WMQ42P03T1 PDFN3*3-8L VDS耐壓：-30 ID 電流：-42 Vgs內(nèi)阻：14 WMS09DP03T1 SOP-8L VDS耐壓：-30 ID 電流：-9 Vgs內(nèi)阻：14 WMO50P03T1 TO-252 VDS耐壓：-30 ID 電流：-50 Vgs內(nèi)阻：14 WMS12P03T1 SOP-8L VDS耐壓：-30 ID 電流：-11.5 Vgs內(nèi)阻：15 WM03P115R DFN2*2-6L VDS耐壓：-30 ID 電流：-11.5 Vgs內(nèi)阻：24 WMQ30P03T1 PDFN3*3-8L VDS耐壓：-30 ID 電流：-30 Vgs內(nèi)阻：24 WMQ30P04T1 PDFN3*3-8L VDS耐壓：-40 ID 電流：-30 Vgs內(nèi)阻：13 WMS13P04T1 SOP-8L VDS耐壓：-40 ID 電流：-13 Vgs內(nèi)阻：13 WMO50P04T1 TO-252 VDS耐壓：-40 ID 電流：-50 Vgs內(nèi)阻：13 WMQ25P06T1 PDFN3*3-8L VDS耐壓：-60 ID 電流：25 Vgs內(nèi)阻：28 WMO35P06T1 TO-252 VDS耐壓：-60 ID 電流：-35 Vgs內(nèi)阻：28 WMO25P06T1 TO-252 VDS耐壓：-60 ID 電流：-25 Vgs內(nèi)阻：40 WMO13P06T1 TO-252 VDS耐壓：-60 ID 電流：-13 Vgs內(nèi)阻：90 WMS05P06T1 SOP-8L VDS耐壓：-60 ID 電流：-4.5 Vgs內(nèi)阻：90 WMQ12P10T1 PDFN3*3-8L VDS耐壓：-100 ID 電流：12 Vgs內(nèi)阻：100 WMO18P10T1 TO-252 VDS耐壓：-100 ID 電流：-18 Vgs內(nèi)阻：110
深圳市粵吉電子有限公司 聯(lián)系人：毛女士 14774661062 電話：0755-82598481 QQ：472947879 郵箱：may@yjesz.com 地址：深圳市寶安區(qū)新安街道留芳路2號(hào)凌云大廈8樓
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