※產(chǎn)品實(shí)際尺寸以實(shí)物為準(zhǔn)。
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訂貨產(chǎn)品號(hào)
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HG-C1100-P
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型號(hào)
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HG-C1100-P
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產(chǎn)品
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CMOS型微型激光位移傳感器
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詳細(xì)
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檢測(cè)中心100mm型
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產(chǎn)品名稱
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CMOS型微型激光位移傳感器HG-C
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截至2022年04月12日
為了改善本產(chǎn)品，會(huì)有在未事先通知的情況下變更本產(chǎn)品的規(guī)格及設(shè)計(jì)的情況。
規(guī)格詳細(xì)
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項(xiàng)目
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內(nèi)容
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訂貨產(chǎn)品號(hào)
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HG-C1100-P
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型號(hào)
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HG-C1100-P
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適合規(guī)格
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EMC適合指令、FDA規(guī)則
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測(cè)量中心距離
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100mm
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測(cè)量范圍
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±35mm
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重復(fù)精度
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70μm
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直線性
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±0.1% F.S.
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溫度特性
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0.03% F.S./℃
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光源
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紅色半導(dǎo)體激光 2級(jí)(JIS/IEC/GB)/II級(jí)(FDA)(注)
輸出:1mW
投光峰波長(zhǎng)度:655nm
(注):根據(jù)FDA規(guī)則中Laser Notice No.50規(guī)定、遵守FDA規(guī)則。
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光束直徑
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約?120μm
(注):測(cè)量中心距離的大小。按照中心光強(qiáng)度的1/e2(約13.5%)定義。如果定義區(qū)域外有光泄漏、并且檢測(cè)點(diǎn) 周圍有高于檢測(cè)點(diǎn)本身的強(qiáng)反射、測(cè)定結(jié)果可能會(huì)受到影響。
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電源電壓
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12～24V DC±10% 脈動(dòng)P-P10%以下
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消耗電流
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40mA以下(電源電壓24V DC時(shí))
65mA以下(電源電壓12V DC時(shí))
(注) : 從2016年6月生產(chǎn)的產(chǎn)品開始進(jìn)行規(guī)格變更。2016年5月前生產(chǎn)的產(chǎn)品： 40mA以下(電源電壓24V DC時(shí))、60mA以下(電源電壓12V DC時(shí))
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控制輸出
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PNP開路集電極晶體管
?源電流:50mA
?外加電壓:30V DC以下(控制輸出-+V之間)
?剩余電壓:1.5V以下(流出電流50mA時(shí))
?漏電流:0.1mA以下
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控制輸出:輸出動(dòng)作
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入光時(shí)ON/非入光時(shí)ON 可切換
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控制輸出:短路保護(hù)
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配備(自動(dòng)恢復(fù))
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模擬輸出 : 模擬量電壓輸出
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?輸出范圍：0～5V(報(bào)警時(shí)：+5.2V)
?輸出阻抗：100Ω
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模擬輸出 : 模擬電流輸出
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?輸出范圍：4～20mA(報(bào)警時(shí)：0mA)
?輸出阻抗：300Ω
(注) : 從2016年6月生產(chǎn)的產(chǎn)品開始追加了模擬電流輸出功能。
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反應(yīng)時(shí)間
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1.5ms/5ms/10ms 可切換
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外部輸入
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PNP無(wú)接點(diǎn)輸入
?輸入條件
無(wú)效:0～+0.6V DC或開路
有效:+4～+V DC
? 輸入阻抗:約10kΩ
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污損度
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2
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使用標(biāo)高
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2,000m以下
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耐環(huán)境性:保護(hù)構(gòu)造
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IP67(IEC)
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耐環(huán)境性:使用環(huán)境溫度
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-10～+45℃(注意不可結(jié)露、結(jié)冰)、存儲(chǔ)時(shí)20～+60℃
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耐環(huán)境性:使用環(huán)境濕度
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35～85%RH、存儲(chǔ)時(shí):35～85%RH
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耐環(huán)境性:使用環(huán)境照度
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白熾燈:受光面照明度3,000 lx以下
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耐環(huán)境性:耐振動(dòng)
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耐久10～55Hz(周期1分鐘) 雙振幅1.5mm XYZ各方向2小時(shí)
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耐環(huán)境性:耐沖擊
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耐久500m/s2(約50G) XYZ各方向3次
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電纜
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0.2mm2 5芯復(fù)合電纜, 長(zhǎng)2m
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電纜延長(zhǎng)
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0.3mm2以上電纜 最多延長(zhǎng)至全長(zhǎng)10m
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材質(zhì)
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本體外殼:壓鑄鋁
前罩:丙烯基
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重量
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本體重量:約35g(不含電纜)、約85g(含電纜)
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