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出水水質標準
國家電子行業高純水標準GB/T11446.1-1997五個等級

工藝流程
1、采用離子交換方式，其流程如下：自來水→電動閥→多介質過濾器→活性炭過濾器→軟化水器→中間水箱→增壓泵→精密過濾器→陽樹脂床→陰樹脂床→雙混床→超純水箱→超純水泵→TOC分解→拋光混床→微孔過濾器→用水點
微孔過濾器→用水點
2、采用RO+MB方式，其流程如下：自來水→電動閥→多介質過濾器→活性炭過濾器→軟化水器→中間水箱→增壓泵→精密過濾器→一級反滲透主機→雙混床→超純水箱→超純水泵→TOC分解→拋光混床→微孔過濾器→用水點
3、采用RO+EDI方式，其流程如下（最新工藝性價比最高）：自來水→電動閥→多介質過濾器→活性炭過濾器→軟化水器→中間水箱→增壓泵→精密過濾器→一級或二級反滲透→中間水箱→EDI水泵→EDI系統→超純水箱→超純水泵→TOC分解→拋光混床→微孔過濾器→用水點

三種工藝比較
制備電子工業超純水的工藝基本上是以上三種，其余的工藝流程大都是在以上三種基本工藝流程的基礎上進行不同組合搭配衍生而來。現將他們的優缺點分別列于下面：
第一種采用傳統的離子交換樹脂其優點在于初次投資少，占用的地方少，但缺點就是需要經常進行離子再生，耗費大量酸堿，而且對環境有一定的破壞。
第二種采用反滲透+離子交換設備，其特點為初次投資比采用離子交換樹脂方式要稍高，但離子再生周期相對要長，耗費的酸堿比單純采用離子樹脂的方式要少很多。是比較經濟與流行的一種工藝。
第三種采用反滲透作預處理再配上電去離子裝置，這是目前制取超純水最先進，最環保的的工藝，不需要用酸堿進行再生便可連續制取超純水，對環境沒什么破壞性。其缺點在于初次投資相對以上兩種方式高。

應用
半導體、集成電路芯片及封裝、液晶顯示、高精度線路板、光電器件、各種電子器件、微電子工業、大規模、超大規模集成電路需用大量的純水、高純水、超純水清洗半成品、成品。

說明

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