| 超結/功率mosfet lsd20n60 to-220mf場效應管新品現貨 |
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價格: 元(人民幣) | 產地:本地 |
| 最少起訂量:1 | 發(fā)貨地:本地至全國 | |
| 上架時間:2019-05-06 22:38:18 | 瀏覽量:208 | |
深圳市可易亞半導體科技有限公司
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| 經營模式:其他 | 公司類型:否 | |
| 所屬行業(yè):分立半導體 | 主要客戶:全國 | |
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品牌驪創(chuàng) 型號lsd20n60 封裝to-262 批號18+ fet類型功率 漏源電壓(vdss)650 漏極電流(id)11 漏源導通電阻(rds on)2.9 柵源電壓(vgs)50 柵極電荷(qg)3.6 反向恢復時間2.95 最大耗散功率11mw 配置類型3 工作溫度范圍3 安裝類型1 應用領域軍工/航天 展開 超結/功率mosfet lsd20n60 to-220mf場效應管新品現貨 點我去除廣告 to-220mf super junction mosfet lonfe super junction mosfet lonfettm功率mosfet采用先進的超級結技術制造,具有極低的導通電阻和柵極電荷,顯著降低導通和開關損耗,特別適合高功率密度和高效率應用。具有極低的導通電阻和柵極電荷,顯著降低導通和開關損耗,能提高電源系統(tǒng)的密度和效率,并具有很高的性價比。 ttm功率mosfet采用先進的超級結技術制造,具有極低的導通電阻和柵極電荷,顯著降低導通和開關損耗,特別適合高功率密度和高效率應用。具有極低的導通電阻和柵極電荷,顯著降低導通和開關損耗,能提高電源系統(tǒng)的密度和效率,并具有很高的性價比。 技術特點: ? 更低的rds(on)xachip→ 更低的導通損耗;?更快的開關速度→更低的開關損耗; ?先進的設計和制造工藝使得器件封裝尺寸進一步減小; ?基于超級結mosfet可以設計功率密度更高,效率更高和溫升更低的電源。 |
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