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高性能 RISC CPU：
?  采用RISC架構(gòu)，僅有37條單指令
 （除程序跳轉(zhuǎn)指令外的所有其他指令都是單周期指令,程序跳轉(zhuǎn)指令是雙周期指令）
?  8級深的硬件堆棧
?  14位寬指令集, 8位寬的數(shù)據(jù)路徑
?  可擦寫flash芯片，片內(nèi)閃存（ROM）為1K字，數(shù)據(jù)存儲容量（RAM）為64字節(jié)
?   EEPROM大小為128bit
?  數(shù)據(jù)和指令的直接、間接和相對尋址模式
?  GP0~5都可睡眠喚醒，且可通過軟件獨立設置內(nèi)部上拉
?   工作電壓2.0V~5.5V
?  有可選電源低壓檢測，欠壓復位功能（PED），三級欠壓復位
?   有中斷功能
?   定時器0：帶3Bit預分頻器8Bit定時器
?   定時器1：帶2Bit預分頻器16Bit定時器
?   1個模擬比較器模塊
?   自振式看門狗定時器 
?   6個可獨立直接控制I/O口
?  工作速度：內(nèi)部4M/8M振蕩器
單片機的特性：
?  上電復位（Power-on Reset,POR）
?  低電壓檢測(LVD)和欠壓復位 (BOR)
?  上電復位（Power-on Reset,POR）
?  具有專用片內(nèi)RC振蕩器的看門狗定時器（WDT），能夠可靠地工作
?  代碼保護功能
?  獨立的可編程若上拉功能
?  節(jié)省功耗的休眠模式
?  可選的振蕩器選項：
-  IRC：4或8MHz內(nèi)部振蕩器
-   RC：廉價RC震蕩器
-   LFXT：低頻晶體振蕩器
-  XTAL：標準晶體振蕩器
?  高耐久性的閃存/EEPROM存儲單元
   -閃存耐寫次數(shù)達到100,000次
            -EEPROM耐寫次數(shù)達到1,000,000次
   -閃存/數(shù)據(jù)EEPROM的數(shù)據(jù)保存期>40年
低功耗特性 CMOS 技術(shù)：
?  工作電流：
-  在2V、4MHz 時 < 170 uA
?  待機電流：
-  2V 時典型值為1nA