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RM6820NQ采用行業(yè)先進(jìn)的3D封裝技術(shù)，芯片內(nèi)部集成ZVS反激式開關(guān)電源控制器、650V GaN FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器以及驅(qū)動(dòng)保護(hù)等，支持最大120W快充，具有小體積、高效率、高性能、低功耗等特點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了高可靠、高效率、高集成的小型化大功率快充電源設(shè)計(jì)要求。

RM6820NQ 集成多種工作模式，在重載情況下，系統(tǒng)工作在傳統(tǒng)的固頻 130Khz 的 PWM 模式下，在低壓輸入時(shí)會(huì)進(jìn)入 CCM 模式；在重載情況下，系統(tǒng)工作在 QR 模式，并采用專有 ZVS 技術(shù)，以降低開關(guān)損耗，同時(shí)結(jié)合 PFM 工作模式提高系統(tǒng)效率；RM6820NQ 采用專有的驅(qū)動(dòng)技術(shù)，搭配高壓 GaNFET功率器件改善 EMI 設(shè)計(jì)；在輕載或空載情況下，系統(tǒng)工作在 Burst Mode 模式，有效去除音頻噪音，同時(shí)在該模式下，RM6820NQ 本身?yè)p耗極低，因此可以做到超低待機(jī)功耗。在任何模式下，都集成了特有抖頻工作模式，以改善 EMI。

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RM6820NQ 同時(shí)集成了多種保護(hù)模式和補(bǔ)償電路，包括 VCC OVP，內(nèi)置 OTP，外置 OVP，欠壓鎖定（uvlo),逐周期過流保護(hù) OCP，過載保護(hù)（OLP），CS 短路保護(hù)，輸出肖特基短路保護(hù)等，并內(nèi)置斜坡補(bǔ)償和 ZVS 線電壓補(bǔ)償。

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■?支持 CCM/QR 混合模式；

■?專有 ZVS 技術(shù)；

■?內(nèi)置 700V 高壓?jiǎn)?dòng)；

■?內(nèi)置 650V GaNFET；?

■?支持最大 130KHz 工作頻率；

■?內(nèi)置特有抖頻技術(shù)改善 EMI；?

■?Burst Mode 去噪音； ??

■?低啟動(dòng)電流（2uA），低工作電流；?

■?集成斜坡補(bǔ)償及 ZVS 高低壓補(bǔ)償；

■?集成 AC 輸入 Brown out/in 功能；

■?外置 OVP 保護(hù)；

■?具有輸出肖特基短路保護(hù)/CS 短路保護(hù)；

■?內(nèi)置 OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO 等多種保護(hù)。

RM6820NQ RM9006AB? RM9010BB RM9003A? RM9003B? RM9033 等亞成微全系列正品 可售樣 可提供技術(shù)支持 歡迎來電咨詢:? 13418531057(微信同號(hào))? 胡藍(lán)丹??