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半導體紫外光刻機
1、曝光面積：110mm×110mm

2、曝光波長：365nm（純凈光源）

2、分辨力：　1.5μm

3、對準精度 ± 1μm

4、掩模樣片整體運動范圍：X：6mm;Y:6mm

5、掩模尺寸：2.5寸、3寸、4寸、5寸

6、直徑Ф15mm--Ф100mm、厚度0.1mm--6mm(可擴展為15mm)；

7、照明均勻性：±3

9、掩模相對于樣片運動行程： X:±5mm; Y:±5mm; θ: ±6度

10、汞燈功率：200W

11、曝光量設定：定時曝光 定時（到計時方式 0.1s-999s任意設定、設定精度0.1s）

12、雙目雙視場顯微鏡：物鏡三隊：4X、10X、20X，目鏡三對：10X、16X、20X或者 升級為無極變倍，觀測更加方便。

應用領域

集成電路芯片、電子封裝、微電子機械系統、微光學元件、紅外探測器生物電泳芯片、激光二極管光刻、光柵光刻，波導陣列光刻、液晶顯示聲表器件、平板顯示器、大尺寸光柵、碼盤刻劃等