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高低頻介電常數介質損耗測試儀GDAT-S阻抗分析
高低頻介電常數介質損耗測試儀GDAT-S阻抗分析 價格:52000.00  元(人民幣) 產地:河北廊坊
最少起訂量:1 發貨地:河北廊坊
上架時間:2024-11-21 10:50:10 瀏覽量:12
北京北廣精儀儀器設備有限公司  
經營模式:批發零售 公司類型:私營有限責任公司
所屬行業:儀器儀表加工設備 主要客戶:北京 上海 武漢 河北 山西 內蒙
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郵箱:15010964966@163.com 地址:北京海淀區上地十街....3號

詳細介紹

產品參數
是否支持加工定制
輸入信號幅度220V
準確度3%
環境溫度25℃
輸入電壓220V
工作電源220V
防護等級一級
功能介電常數介質損耗測試
電源頻率20Hz
品牌北廣精儀

性能特點4.3寸TFT液晶顯示中英文可選操作界面87高1MHz的測試頻率,10mHz分辨率
平衡測試功能變壓器參數測試功能87高測試速度:13ms/次電壓或電流的自動電平調整(ALC)功能V、I 測試信號電平監視功能內部自帶直流偏置源可外接大電流直流偏置源10點列表掃描測試功能30Ω、50Ω、100Ω可選內阻內建比較器,10檔分選和計數功能內部文件存儲和外部U盤文件保存測量數據可直接保存到U盤RS232C、 USB 、LAN、HANDLER、GPIB、DCI接口


準確度ALC ON 10 x設定電流 20μAALC OFF 6 x設定電壓 20μADC偏置電壓源電壓 / 電流范圍:0V—±5V / 0mA—±50mA分辨率:0.5mV / 5μA電壓準確度:1 x設定電壓 5mVISO ON:用于電感、變壓器加偏置測試AC源內阻ISO ON:100ΩISO OFF:30Ω、50Ω、100Ω可選DCR源內阻:30Ω、50Ω、100Ω可選阻抗測試參數:|Z|, |Y|, C, L, X, B, R, G, D, Q,θ, DCR, Vdc-Idc測試頁面參數顯示:一組主、副參數;10點列表掃描變壓器測試參數:DCR1(初級,2端), DCR2(次級,2端),M(互感),N,1/N,Phase(相位), Lk(漏感),(初、次級電容),平衡測試.
技術參數顯示器:480×RGB×272,4.3寸TFT LCD顯示器。測試信號頻率:20Hz—1MHz87小分辨率:10mHz,4位頻率輸入準確度:0.01?電平測試信號電壓范圍:10mV—2Vrms電壓87小分辨率:100μV,3位輸入準確度ALC ON 10 x設定電壓 2mVALC OFF 6 x設定電壓 2mV測試信號電流范圍:100μA—20mA電流87小分辨率:1μA,3位輸入



BQS-37a(QS-37a)型高壓電橋是本公司推出的新一代高壓電橋,主要用于測量工業絕緣材料的介質損耗(tgδ)及介電常數(ε)。符合GB1409、GB5654及GB/T1693, ASTM D150-1998(2004) 固體電絕緣材料的交流損耗特性及介電常數的試驗方法其采用了西林電橋的經典線路,內附0-2500的數顯高壓電源及100PF標準電容器,并可按用戶要求擴裝外接標準電容線路。
電橋的特點;橋體內附電位根宗器及指零儀,外圍接線及少。
電橋采用接觸電阻小,機械壽命長的十進開關,保證測量的穩定性
儀器具有雙屏蔽,能有效防止外部電磁場的干擾。
儀器內部電阻及電容元件經特殊老化處理,使儀器技術性能穩定可靠。
內附高壓電源晶度3
內附標準電容損耗﹤0.00005,名義值100pF
技術指標
測量范圍及誤差
本電橋的環境溫度為20±5℃,相對濕度為30-80條件下,應滿足下列表中的技術指示要求。
在Cn=100 pF R4=3183.2(Ω)時
測量項目測量范圍測量誤差
電容量Cx40pF—20000pF±0.5 Cx±2pF
介損損耗tgδ0-1±1.5 tgδx±0.0001
在Cn=100 pF R4=318.3(Ω)時
測量項目測量范圍測量誤差
電容量Cx4pF—2000pF±0.5 Cx±3pF
介損損耗tgδ0-0.1±1.5 tgδx±0.0001



電橋測量靈敏度
電橋在使用過程中,靈敏度直接影響電橋平穩衡的分辨程度,為保證測量準確度,希望電橋靈敏度達到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測量電壓,標準電容量成正比。
在下面的計算公式中,用戶可根據實際情況估算出電橋靈敏度水平,在這個水平上的電容與介質損耗因數的微小變化都能夠反應出來。
ΔC/C或Δtgδ=Ig/UωCn(1 Rg/R4 Cn/Cx)
式中: U 為測量電壓 伏特 (ω為角頻率2πf=314(50Hz) Cn標準電容器容量 法拉(F)
Ig通用指零儀的電流5×10-10 安培(A)
Rg平衡指零儀內阻約1500 歐姆(Ω)
R4橋臂R4阻值3183 歐姆(Ω)
Cx被測試品電容值 法拉(pF)
工作電壓說明
在使用中,本電橋頂A,B對V點的電壓Z高不超過11V,R3橋臂各盤的電流不超過下列規定:
10×1kΩ 1max≤15mA
10×100Ω 1max≤120mA
10×10Ω l max≤150mA


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