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HGTP10N120BN場效應(yīng)管ON封裝TO-220-3批號1920

	價格：0.0010 元(人民幣)	產(chǎn)地：廣東省深圳市
	最少起訂量：1	發(fā)貨地：廣東省深圳市
	上架時間：2024-09-11 07:35:44	瀏覽量：12
	深圳市共強科技有限公司
	經(jīng)營模式：經(jīng)銷商	公司類型：私營獨資企業(yè)
	所屬行業(yè)：集成電路/IC	主要客戶：電子廠
	在線咨詢

聯(lián)系方式

聯(lián)系人:周先生 (先生)	手機:15889711789
電話:	傳真:
郵箱:info@gqbetter.com	地址:深圳市寶安區(qū)西鄉(xiāng)街道共樂社區(qū)鐵仔路九方廣場2棟1503

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品參數(shù)
品牌	ON
封裝	TO-220-3
批號	1920
數(shù)量	62400
制造商	ON Semiconductor
產(chǎn)品種類	IGBT 晶體管
RoHS	是
封裝 / 箱體	TO-220-3
安裝風(fēng)格	Through Hole
配置	Single
集電極—射極飽和電壓	2.45 V
柵極/發(fā)射極最大電壓	20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流	35 A
Pd-功率耗散	298 W
最小工作溫度	- 55 C
最大工作溫度	150 C
系列	HGTP10N120BN
集電極最大連續(xù)電流 Ic	35 A
高度	9.4 mm
長度	10.67 mm
寬度	4.83 mm
集電極連續(xù)電流	35 A
柵極—射極漏泄電流	/- 250 nA
零件號別名	HGTP10N120BN_NL
單位重量	1.800 g
可售賣地	全國
型號	HGTP10N120BN

技術(shù)參數(shù)

品牌：	ON
型號：	HGTP10N120BN
封裝：	TO-220-3
批號：	1920
數(shù)量：	62400
制造商：	ON Semiconductor
產(chǎn)品種類：	IGBT 晶體管
RoHS：	是
封裝 / 箱體：	TO-220-3
安裝風(fēng)格：	Through Hole
配置：	Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：	1200 V
集電極—射極飽和電壓：	2.45 V
柵極/發(fā)射極最大電壓：	20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流：	35 A
Pd-功率耗散：	298 W
最小工作溫度：	- 55 C
最大工作溫度：	150 C
系列：	HGTP10N120BN
集電極最大連續(xù)電流 Ic：	35 A
高度：	9.4 mm
長度：	10.67 mm
寬度：	4.83 mm
集電極連續(xù)電流：	35 A
柵極—射極漏泄電流：	/- 250 nA
零件號別名：	HGTP10N120BN_NL
單位重量：	1.800 g

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