| 產品參數 | | 品牌 | ON | | 封裝 | TSOP-6 | | 批號 | 1946 | | 數量 | 9000 | | 制造商 | onsemi | | 產品種類 | MOSFET | | RoHS | 是 | | 安裝風格 | SMD/SMT | | 封裝 / 箱體 | TSOP-6 | | 晶體管極性 | N-Channel | | P-Channel | | 通道數量 | 2 Channel | | Vds-漏源極擊穿電壓 | 8 V | | Id-連續漏極電流 | 3.3 A | | Rds On-漏源導通電阻 | 55 mOhms | | Vgs - 柵極-源極電壓 | - 8 V | | 8 V | | Vgs th-柵源極閾值電壓 | 600 mV | | 最小工作溫度 | - 55 C | | 最大工作溫度 | 150 C | | Pd-功率耗散 | 830 mW | | 通道模式 | Enhancement | | 系列 | NTGD1100L | | 配置 | Dual | | 高度 | 0.94 mm | | 長度 | 3 mm | | 晶體管類型 | MOSFET | | 寬度 | 20 mg | | 可售賣地 | 全國 | | 型號 | | | .jpg)
技術參數| 品牌： | ON | | 型號： | NTGD1100LT1G | | 封裝： | TSOP-6 | | 批號： | 1946 | | 數量： | 9000 | | 制造商： | onsemi | | 產品種類： | MOSFET | | RoHS： | 是 | | 安裝風格： | SMD/SMT | | 封裝 / 箱體： | TSOP-6 | | 晶體管極性： | N-Channel, P-Channel | | 通道數量： | 2 Channel | | Vds-漏源極擊穿電壓： | 8 V | | Id-連續漏極電流： | 3.3 A | | Rds On-漏源導通電阻： | 55 mOhms | | Vgs - 柵極-源極電壓： | - 8 V, 8 V | | Vgs th-柵源極閾值電壓： | 600 mV | | 最小工作溫度： | - 55 C | | 最大工作溫度： | 150 C | | Pd-功率耗散： | 830 mW | | 通道模式： | Enhancement | | 系列： | NTGD1100L | | 配置： | Dual | | 高度： | 0.94 mm | | 長度： | 3 mm | | 晶體管類型： | MOSFET | | 寬度： | 20 mg |
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