| VS1602GTH100V\/130AN-ChannelAdvancedPowerMOSFET |
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價格：1.00 元(人民幣) | 產地：廣東省深圳市 |
| 最少起訂量：1 | 發貨地：廣東省深圳市 | |
| 上架時間：2024-02-01 15:16:41 | 瀏覽量：41 | |
深圳市兆瑞芯電子有限公司
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| 經營模式：代理商 | 公司類型：私營有限責任公司 | |
| 所屬行業：產品配套元器件、零部件 | 主要客戶：電源 | |
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Maximum ratings, atTA=25°C, unless otherwise specified Symbol Parameter Rating Unit V(BR)DSS Drain-Source breakdown voltage 100 V VGS Gate-Source voltage ±20 V IS Diode continuous forward current (Wire bond limited) TC= 25°C 130 A ID Continuous drain current @VGS=10V (Wire bond limited) TC= 25°C 130 A ID Continuous drain current @VGS=10V (Silicon limited) TC= 100°C 120 A IDM Pulse drain current tested ① TC=25°C 675 A IDSM Continuous drain current @VGS=10V TA=25°C 16 A TA=70°C 12 A EAS Maximum Avalanche energy, single pulsed ② 484 mJ PD Maximum power dissipation ③ TC= 25°C 250 W PDSM Maximum power dissipation ④ TA=25°C 2.1 W TJ,TSTG Operating junction and storage temperature range -55 to 175 °C Thermal Characteristics Symbol Parameter Typical Max Unit RθJC Thermal Resistance, Junction-to-Case ⑤ 0.5 0.6 °C/W RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient ⑥ 50 60 °C/W
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