| 產品參數 | | ON 場效應管 NTZD3155CT1G MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 品牌 | ON | | 封裝 | SOT-563-6 | | 批號 | 1920 | | 數量 | 57000 | | 制造商 | ON Semiconductor | | 產品種類 | MOSFET | | RoHS | 是 | | 安裝風格 | SMD/SMT | | 封裝 / 箱體 | SOT-563-6 | | 通道數量 | 2 Channel | | 晶體管極性 | N-Channel | | P-Channel | | Vds-漏源極擊穿電壓 | 20 V | | Id-連續漏極電流 | 540 mA | | Rds On-漏源導通電阻 | 550 mOhms | | 900 mOhms | | Vgs - 柵極-源極電壓 | 6 V | | 最小工作溫度 | - 55 C | | 最大工作溫度 | 150 C | | Pd-功率耗散 | 250 mW | | 配置 | Dual | | 通道模式 | Enhancement | | 高度 | 0.55 mm | | 長度 | 1.6 mm | | 系列 | NTZD3155C | | 晶體管類型 | 1 N-Channel | | 1 P-Channel | | 寬度 | 1.2 mm | | 下降時間 | 4 ns | | 12 ns | | 上升時間 | 4 ns | | 12 ns | | 典型關閉延遲時間 | 16 ns | | 35 ns | | 典型接通延遲時間 | 6 ns | | 10 ns | | 單位重量 | 3 mg | | 可售賣地 | 全國 | | 型號 | NTZD3155CT1G | | .jpg)
技術參數| 品牌： | ON | | 型號： | NTZD3155CT1G | | 封裝： | SOT-563-6 | | 批號： | 1920 | | 數量： | 57000 | | 制造商： | ON Semiconductor | | 產品種類： | MOSFET | | RoHS： | 是 | | 安裝風格： | SMD/SMT | | 封裝 / 箱體： | SOT-563-6 | | 通道數量： | 2 Channel | | 晶體管極性： | N-Channel, P-Channel | | Vds-漏源極擊穿電壓： | 20 V | | Id-連續漏極電流： | 540 mA | | Rds On-漏源導通電阻： | 550 mOhms, 900 mOhms | | Vgs - 柵極-源極電壓： | 6 V | | 最小工作溫度： | - 55 C | | 最大工作溫度： | 150 C | | Pd-功率耗散： | 250 mW | | 配置： | Dual | | 通道模式： | Enhancement | | 高度： | 0.55 mm | | 長度： | 1.6 mm | | 系列： | NTZD3155C | | 晶體管類型： | 1 N-Channel, 1 P-Channel | | 寬度： | 1.2 mm | | 下降時間： | 4 ns, 12 ns | | 上升時間： | 4 ns, 12 ns | | 典型關閉延遲時間： | 16 ns, 35 ns | | 典型接通延遲時間： | 6 ns, 10 ns | | 單位重量： | 3 mg |
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