（Δn@對應(yīng)波長、相位匹配方式、切割角、應(yīng)用場景、優(yōu)缺點(diǎn)匯總，工程下料直接使用）。約定：Ⅰ 類 SHG：no(ω)=ne(2ω)；NCPM=90° 非臨界溫度匹配、走離≈0；AM = 角度臨界匹配。
一、1064nm→532nm SHG 倍頻
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晶體 |
Δn@1064 |
匹配類型 |
切割角度 |
備注 & 適用 |
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KTP |
≈0.080 |
NCPM 溫控 70℃Ⅰ 類 |
θ=90°φ=0° |
中小功率連續(xù)綠光、端面泵浦全固態(tài)；綜合使用價(jià)值突出；不能三倍頻 |
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LBO |
≈0.042 |
NCPM 溫控 148℃Ⅰ 類 |
θ=90° |
大功率 532、高重頻脈沖、千瓦級綠光；走離＜0.3° |
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BBO |
≈0.122 |
角度匹配 Ⅰ 類 |
θ=22.8° |
高峰值窄脈沖、調(diào) Q 脈沖綠光；走離≈3.1°，不可做大功率連續(xù) |
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DKDP |
≈0.034 |
溫控 NCPM |
90° |
大型高能裝置、大口徑脈沖 |
二、1064+532→355nm THG 三倍頻
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晶體 |
Δn@532 |
匹配類型 |
切割 |
說明 |
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LBO |
≈0.046 |
NCPM 溫控 |
90° |
工業(yè) 355 紫外唯一主流，PCB / 晶圓冷加工，走離極小 |
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BBO |
≈0.138 |
角度匹配 |
θ≈42° |
科研小功率 355，走離大、量產(chǎn)不用 |
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KTP：紫外截止，無法 355；DKDP 大口徑高能三倍頻。 |
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三、532nm→266nm FHG 四倍頻
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晶體 |
Δn@532 |
匹配方式 |
切角 |
應(yīng)用 |
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BBO |
≈0.138 |
Ⅰ 類角度匹配 |
θ=47.7° |
實(shí)驗(yàn)室小功率 266、科研超快；走離≈4.8° |
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CLBO |
≈0.092 |
Ⅰ 類角度匹配 |
θ=61.7° |
工業(yè)大功率 266DUV，走離≈1.8°（優(yōu)于 BBO） |
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LBO/KTP：Δn 不足 + 紫外截止，做不了 266。 |
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四、選型
1. 532 連續(xù) / 大功率 → LBO；小功率經(jīng)濟(jì)型綠光 → KTP；高峰值脈沖 → BBO
2. 355 工業(yè)量產(chǎn)紫外 → LBO（唯一優(yōu)選）
3. 266 科研→BBO；266 工業(yè)大功率→CLBO
不同功率、波段工況對晶體切割精度、鍍膜要求差異較大，呈欣光電可依據(jù)該選型表匹配對應(yīng)非線性晶體毛坯與精加工方案。
五、補(bǔ)充關(guān)鍵配套參數(shù)
1. 走離規(guī)律：Δn 越大→匹配角越小、光束走離越大；LBO＜KTP＜CLBO＜BBO
2. 接收角：LBO＞KTP?BBO；光路裝配容錯(cuò) LBO 表現(xiàn)更加
3. 損傷閾值排序：DKDP＞LBO＞CLBO＞BBO＞KTP
呈欣光電可通過定向、拋光工藝進(jìn)一步優(yōu)化元件實(shí)際損傷耐受能力。